- SPD04N60C3
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詳細(xì)信息
品牌：INFINEON
封裝：TO-252
批號：11+
數(shù)量：1577
描述：數(shù)據(jù)列表 SP(D,U)04N60C3
產(chǎn)品相片 TO-252-3
標(biāo)準(zhǔn)包裝 2,500
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 類型 MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能 標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss) 650V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)） 4.5A
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 950 毫歐 @ 2.8A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值） 3.9V @ 200μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) 25nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) 490pF @ 25V
功率 - 最大值 50W
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO252-3
包裝 帶卷 (TR)
相關(guān)型號：
SP000013656
SP000083089
SP000313944
SPD04N60C3INTR
SPD04N60C3T
SPD04N60C3XT
SPD04N60C3XTINTR
SPD04N60C3XTINTR-ND
封裝：TO-252
批號：11+
數(shù)量：1577
描述：數(shù)據(jù)列表 SP(D,U)04N60C3
產(chǎn)品相片 TO-252-3
標(biāo)準(zhǔn)包裝 2,500
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 類型 MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能 標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss) 650V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)） 4.5A
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 950 毫歐 @ 2.8A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值） 3.9V @ 200μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) 25nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) 490pF @ 25V
功率 - 最大值 50W
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO252-3
包裝 帶卷 (TR)
相關(guān)型號：
SP000013656
SP000083089
SP000313944
SPD04N60C3INTR
SPD04N60C3T
SPD04N60C3XT
SPD04N60C3XTINTR
SPD04N60C3XTINTR-ND
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警方提示：網(wǎng)上買、賣商品要謹(jǐn)慎小心，以免上當(dāng)受騙。
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