- IPB022N04LG
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詳細(xì)信息
品牌：INFINEON
封裝：TO-263
批號：10+
數(shù)量：3000
描述：數(shù)據(jù)列表 IPB022N04LG
產(chǎn)品相片 TO-263
產(chǎn)品變化通告 Product Discontinuation 26/Jul/2012
標(biāo)準(zhǔn)包裝 1,000
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭 FET - 單
系列 OptiMOS™
包裝 帶卷 (TR)
FET 類型 MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能 邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss) 40V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） 90A
不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值） 2.2 毫歐 @ 90A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） 2V @ 95μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) 166nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) 13000pF @ 20V
功率 - 最大值 167W
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO263-2
其它名稱 IPB022N04L G-ND
SP000391497
封裝：TO-263
批號：10+
數(shù)量：3000
描述：數(shù)據(jù)列表 IPB022N04LG
產(chǎn)品相片 TO-263
產(chǎn)品變化通告 Product Discontinuation 26/Jul/2012
標(biāo)準(zhǔn)包裝 1,000
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭 FET - 單
系列 OptiMOS™
包裝 帶卷 (TR)
FET 類型 MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能 邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss) 40V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） 90A
不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值） 2.2 毫歐 @ 90A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） 2V @ 95μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) 166nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) 13000pF @ 20V
功率 - 最大值 167W
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO263-2
其它名稱 IPB022N04L G-ND
SP000391497
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警方提示：網(wǎng)上買、賣商品要謹(jǐn)慎小心，以免上當(dāng)受騙。
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