- SPB04N60C3
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詳細(xì)信息
品牌：INFINEON
封裝：TO-263
批號(hào)：11+
數(shù)量：14000
描述：參數(shù)詳情：
數(shù)據(jù)列表 SPB04N60C3
產(chǎn)品相片 TO-263
標(biāo)準(zhǔn)包裝 1,000
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 類型 MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能 標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss) 650V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)） 4.5A
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 950 毫歐 @ 2.8A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值） 3.9V @ 200μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) 25nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) 490pF @ 25V
功率 - 最大值 50W
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO263-3
包裝 帶卷 (TR)
產(chǎn)品目錄頁(yè)面 1616 (CN2011-ZH PDF)
相關(guān)型號(hào)：
SP000013533
SPB04N60C3INTR
SPB04N60C3XT
SPB04N60C3XTINTR
SPB04N60C3XTINTR-ND
封裝：TO-263
批號(hào)：11+
數(shù)量：14000
描述：參數(shù)詳情：
數(shù)據(jù)列表 SPB04N60C3
產(chǎn)品相片 TO-263
標(biāo)準(zhǔn)包裝 1,000
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 類型 MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能 標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss) 650V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)） 4.5A
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 950 毫歐 @ 2.8A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值） 3.9V @ 200μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) 25nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) 490pF @ 25V
功率 - 最大值 50W
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO263-3
包裝 帶卷 (TR)
產(chǎn)品目錄頁(yè)面 1616 (CN2011-ZH PDF)
相關(guān)型號(hào)：
SP000013533
SPB04N60C3INTR
SPB04N60C3XT
SPB04N60C3XTINTR
SPB04N60C3XTINTR-ND
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警方提示：網(wǎng)上買、賣商品要謹(jǐn)慎小心，以免上當(dāng)受騙。
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