- IPB072N15N3G
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詳細信息
品牌：INFINEON
封裝：TO-263-3
批號：11+
數(shù)量：400
描述：數(shù)據(jù)列表 IPB072N15N3G
產(chǎn)品相片 TO-263
標準包裝 1,000
類別 分立半導體產(chǎn)品
FET 類型 MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能 標準
漏源極電壓 (Vdss) 150V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） 100A
不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值） 7.2 毫歐 @ 100A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） 4V @ 270μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) 93nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) 5470pF @ 75V
功率 - 最大值 300W
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商器件封裝 PG-TO263-2
包裝 帶卷 (TR)
其它名稱 IPB072N15N3 G-ND
SP000386664
封裝：TO-263-3
批號：11+
數(shù)量：400
描述：數(shù)據(jù)列表 IPB072N15N3G
產(chǎn)品相片 TO-263
標準包裝 1,000
類別 分立半導體產(chǎn)品
FET 類型 MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能 標準
漏源極電壓 (Vdss) 150V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） 100A
不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值） 7.2 毫歐 @ 100A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） 4V @ 270μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) 93nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) 5470pF @ 75V
功率 - 最大值 300W
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商器件封裝 PG-TO263-2
包裝 帶卷 (TR)
其它名稱 IPB072N15N3 G-ND
SP000386664
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警方提示：網(wǎng)上買、賣商品要謹慎小心，以免上當受騙。
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