信息類型：供應(yīng)

產(chǎn)品詳情：
型號(hào)：TC58NVG1S3ETA00
封裝：窗體頂端
封裝：TSOP48
批號(hào)：15+
品牌：TOSHIBA
TC58NVG1S3E是一個(gè)單一的3.3V2千兆位（2214592512位）NAND電可擦除和組織為（2048+64）字節(jié)×64頁×2048blocks可編程只讀存儲(chǔ)器（NAND E2PROM）。該器件具有兩個(gè)2112字節(jié)的靜態(tài)寄存器允許程序和讀取數(shù)據(jù)將在2112字節(jié)為單位的寄存器和存儲(chǔ)器單元陣列之間傳輸。擦除操作是在一個(gè)單一的塊為單位實(shí)施（128字節(jié)+4字節(jié)：2112字節(jié)×64頁）。該TC58NVG1S3E是它利用了I / O管腳對(duì)地址和數(shù)據(jù)輸入/輸出以及用于命令輸入序列式存儲(chǔ)裝置。擦除和編程操作是自動(dòng)執(zhí)行使得設(shè)備的應(yīng)用，如固態(tài)文件存儲(chǔ)，錄音，圖像文件存儲(chǔ)為靜態(tài)相機(jī)等需要高密度非易失性內(nèi)存中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)最合適。
特點(diǎn)：
組織X8存儲(chǔ)器單元陣列2112×128K×8注冊(cè)2112×8頁面大小2112字節(jié)的塊大�。�128K+4K）字節(jié)；模式閱讀，復(fù)位，自動(dòng)頁面編程自動(dòng)塊擦除，狀態(tài)讀取，頁復(fù)印，多頁編程，有效塊多塊擦除，多頁復(fù)印，多頁讀；模式控制串行輸入/輸出指令控制；數(shù)字最小2008塊最多2048塊；電源Vcc= 2.7V到3.6V；存取時(shí)間電池?cái)?shù)組寄存器30微秒最大串行讀周期25 ns最�。òl(fā)光= 100pF）；編程/擦除時(shí)間自動(dòng)頁編程300微秒/頁（典型值）。自動(dòng)塊擦除2.5毫秒/塊（典型值）；工作電流閱讀（25 ns周期）30 mA最大。程序（平均）30 mA最大擦除（平均）30 mA最大待機(jī)50μA最大值