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場效應管IRFP250NPBF
信息類型：供應
標準包裝 ?
25
類別
分立半導體產品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
包裝 ?
散裝 ?
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標準
漏源極電壓 (Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）
30A （Tc）
不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）
75 毫歐 @ 18A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)
123nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)
2159pF @ 25V
功率 - 最大值
214W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
標準包裝 ?
25
類別
分立半導體產品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
包裝 ?
散裝 ?
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標準
漏源極電壓 (Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）
30A （Tc）
不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）
75 毫歐 @ 18A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)
123nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)
2159pF @ 25V
功率 - 最大值
214W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
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