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場(chǎng)效應(yīng)管IRF620PBF
信息類型：供應(yīng)
標(biāo)準(zhǔn)包裝 ?
50
類別
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
包裝 ?
管件 ?
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）
5.2A （Tc）
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）
800 毫歐 @ 3.1A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)
14nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)
260pF @ 25V
功率 - 最大值
50W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
標(biāo)準(zhǔn)包裝 ?
50
類別
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
包裝 ?
管件 ?
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）
5.2A （Tc）
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）
800 毫歐 @ 3.1A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)
14nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)
260pF @ 25V
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50W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
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