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    場(chǎng)效應(yīng)管IRF840PBF
    刪除信息打印此文 發(fā)布時(shí)間:2022/11/30 9:53:47
    信息類(lèi)型:供應(yīng)


    標(biāo)準(zhǔn)包裝 ?
    50

    類(lèi)別
    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭
    FET - 單

    系列
    -

    包裝 ?
    管件 ?

    FET 類(lèi)型
    MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 功能
    標(biāo)準(zhǔn)

    漏源極電壓 (Vdss)
    500V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí))
    8A (Tc)

    不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值)
    850 毫歐 @ 4.8A,10V

    不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
    4V @ 250µA

    不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)
    63nC @ 10V

    不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)
    1300pF @ 25V

    功率 - 最大值
    125W

    安裝類(lèi)型
    通孔

    封裝/外殼
    TO-220-3

    供應(yīng)商器件封裝
    TO-220AB
    場(chǎng)效應(yīng)管IRF840PBF
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    Published at 2024/11/19 16:25:10, Powered By v1.0.0(MSSQL)